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SI4436DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4436DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4436DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4436DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4436DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4436DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SSQE48T20033-NABNG
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊，1/16 磚 CONVERTER DC-DC 3.3V 20A
RT1206DRE07330RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 330 OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI4436DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
RYM12DTBT-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI5855CDC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
SMAJ11AHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA
SI7384DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SK3R3M400ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 3.3UF 400V 20% RADIAL
SSQE48T25018-NABNG
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊 DC/DC CONVERT 1.8V 25A
RYM12DTMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI7386DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
SK42BL-TP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 4A 20V SMB
SI5858DU-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 雙 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SSQE48T25018-NABNG
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊 DC/DC CONVERT 1.8V 25A
RT1206DRE07348RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 348 OHM 1/4W .5% SMD 1206