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SI4455DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：295 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4455DY-T1-E3供應商

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鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
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斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM ROTARY 240VAC
TLC2262CPE4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP GP R-R 730KHZ DUAL 8DIP
STEVAL-SPMD250V1
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FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
T95S684M035EZAL
鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507