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SI4466DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4466DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4466DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4466DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4464DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
STEVAL-TDR016V1
RF 評估和開發(fā)套件，板 STMicroelectronics RF EVAL FOR PD55015E
STP4CMPQTR
PMIC - LED 驅(qū)動器 STMicroelectronics 20-UFQFN IC LED DVR CHARGE PUMP 20QFN
T95S684M035LSSL
鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
SI4465ADY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
TLV2450IDBVT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
TA-36.000MDE-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 36.000 MHZ 1.8V SMD
TLC2264IDG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC
STP5NK60Z
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
T95S684M035LZAL
鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
SI4472DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
TLV2450IP
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP GP R-R 220KHZ SGL 8DIP
STP5NK80ZFP
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP
STEVAL-TDR029V1
RF 評估和開發(fā)套件，板 STMicroelectronics EVAL BOARD FOR STAC2942B
SI4484EY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC