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當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引1 » 型號(hào)"SI4477DY-T1-GE3"的供應(yīng)信息

SI4477DY-T1-GE3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4477DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：26.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.2 毫歐 @ 18A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 10V; 功率_最大：6.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RNF18FTD19R1
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 19.1 OHM 1% AXIAL
SD6020-680-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELDED 68UH SMD
SI4470EY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
RNCP0603FTD10R0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 10 OHM 1% 0603 SMD
MDM-51SH004P
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 24"
SCD105K202A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 1UF 2KVDC SCREW
SI3461-E02-GM
PMIC - 電源管理 - 專用 Silicon Laboratories Inc IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN
SI7110DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
RNF18FTD1K07
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 1.07K OHM 1% AXIAL
RNCP0603FTD121R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 121 OHM 1% 0603 SMD
MDM-51SH005K
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 30"
SCD10PSN
電流 CUI Inc - SENSOR CURRENT 10A 12V UNI MOD
SI7112DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
SD6030-151-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELDED 150UH .64A SMD
RNF18FTD1K10
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 1.1K OHM 1% AXIAL