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SI4567DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4567DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4567DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4567DY-T1-E3供應商

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SI4565ADY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI SFV28R-1STE1-FFC/FPC CONN
MS27656T25B35PB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 128POS WALL MNT W/PINS
T495C157K004ATE250
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 150UF 4V 10% 2312
SGR-8002JC-PTC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR TTL PROG 5V OE SMD
SFV28R-1STE1HLF
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI CONN FPC/FFC 28POS .5MM R/A SMD
SQT-105-01-F-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc PowerPAK? 1212-8 CONN RCPT 2MM 10POS GOLD
MS27656T25B35PD
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 128POS WALL MNT W/PINS
MS3102R28-9P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS BOX MNT W/PINS