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SI4630DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：161nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6670pF @ 15V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4630DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：161nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6670pF @ 15V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4630DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：161nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6670pF @ 15V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4630DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：161nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6670pF @ 15V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4630DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：161nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6670pF @ 15V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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SST11CP15-QUBE
RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盤 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN
RT1206DRE0778R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 78.7 OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI-46008-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/G
SI7617DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI3230M-E-FM
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盤 IC SLIC PROG 1-CH 38QFN
RYM24DRMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW
SI6926ADQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
SMAJ150A-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 150V UNIDIRECT SMA
RT1206DRE077K15L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 7.15K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI7625DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI3232-G-GQ
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP IC SLIC PROG DUAL-CH 64TQFP
RYM24DRMH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW
SMAJ150CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 150V 400W BI 5% SMD
SI6928DQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
SI4632DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

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