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SI4830-A20-GU詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 接收器; 描述：IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM; 系列：-; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：520kHz ~ 1.71MHz，64MHz ~ 108MHz; 靈敏度：-; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：-; 調(diào)制或協(xié)議：AM，F(xiàn)M; 應(yīng)用：通用; 電流_接收：-; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲(chǔ)容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 特點(diǎn)：-; 電源電壓：2 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-; 封裝/外殼：24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：24-SSOP; 包裝：托盤

SI4830ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4830ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4830ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4830ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4830CDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：2.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RNCF1206BTC6K81
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 6.81K OHM 1/8W 0.1% 1206
SDAXB-024G-000000
固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器 SanDisk SSD 2.5" UATA 24GB
SI4829DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SCE048SD3QP1B
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VDC 2.9KHZ CHIRP
RNF12FTD237R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 237 OHM 1/2W 1% AXIAL
ROV10-751K
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 10mm VARISTOR 750VDC 10MM 10% LEADED
RNF14BTC3K48
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.48K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCP1206FTD180R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 180 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
RNCF1206BTC7K32
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 7.32K OHM 1/8W 0.1% 1206
SCE048XA2DP2B
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC/DC 2KHZ FAST DBL PULSE
RNF12FTD24R9
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 24.9 OHM 1/2W 1% AXIAL
ROV10-781K-S
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 10mm VARISTOR 780V 10MM STRAIGHT LEAD
RNF14BTC3K57
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.57K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCP1206FTD221R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 221 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
RNCF1206BTE10K5
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 10.5K OHM 1/8W 0.1% 1206