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SI4840DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4840DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4840DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4840DY-T1-E3供應商

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SI7901EDN-T1-GE3
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SQCBEM102KAJMEV
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陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 820PF 500V 5% RADIAL
RT0603DRD07150KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 150K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SI7904BDN-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
SRAH-03A1500
DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 3A 12V 1.5V SMD
SQCBEM511JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 510PF 150V 5% 1111
SHIPLBL-090
標簽，標記 3M (TC) LABEL 4X4" BLACK ON WHITE 500/PK
SR217C222MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 500V 20% RADIAL
SI4840DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC