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SI4888DY 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI4888DY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 16A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

SI4888DY-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 16A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

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