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SI4904DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4904DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4904DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4904DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：3.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4904DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：3.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4904DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：3.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RNCF1206BTE499K
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 499K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNCP1206FTD8K06
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 8.06K OHM 1/2W 1% 1206 SMD
SI4904DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
RNF12FTD3M92
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.92M OHM 1/2W 1% AXIAL
SDF DF216S
熱熔斷路器，斷路器 (TCO) Cantherm 軸向 THERMAL FUSE 216C 10A AXIAL
ROV14-301K
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 14mm VARISTOR 300V 14MM RADIAL
RNF14BTD25K5
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 25.5K OHM 1/4W .1% AXIAL
SCEP134H-6R0
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 6.00UH 9.60A 100KHZ
RNCF1206BTE4K37
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 4.37K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF12FTD3R30
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/2W 3.3 OHM 1% AXL
SDF DF228S
熱熔斷路器，斷路器 (TCO) Cantherm 軸向 THERMAL CUTOUT 228C 10A AXIAL
ROV14-361K-2
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 14mm VARISTOR 360V 14MM RADIAL T/R
RNF14BTD2K49
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 2.49K OHM 1/4W .1% AXIAL
SCEP134S-4R8
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 4.80UH 9.30A 100KHZ
RNCF1206BTE5K11
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 5.11K OHM 1/8W 0.1% 1206

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