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SI4948BEY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 60V 2.4A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4948BEY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 60V 2.4A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4948BEY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 60V 2.4A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4948BEY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4948BEY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4948BEY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

VI-B33-CY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 50W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
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SI4947ADY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 33PF 100V 5% NP0 1206
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VI-B6X-IU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W
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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 33PF 200V 5% NP0 1206
SH374P4S1
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向，Can SHIELDED DC MICRO-MIZER
VI-B6X-IV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 150W
VI-B7L-MX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
VI-B7Z-MY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W

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