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SI5443DC-T1 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI5443DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.6A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?
包裝：帶卷 (TR)

SI5443DC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.6A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?
包裝：帶卷 (TR)

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