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SI5504BDC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5504BDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5504BDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5504BDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5504DC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5504DC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5499DC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
RT9198-18GU5R
PMIC - 穩壓器 - 線性 Richtek USA Inc 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 1.8V .3A SC70-5
RNMF12FTD110R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/2W 110 OHM 1% AXIAL
S222K39Y5PN65K6R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 1KV 10% RADIAL
RT9198-1HGY
PMIC - 穩壓器 - 線性 Richtek USA Inc SC-82 IC REG LDO 1.85V .3A SC82
SI5504DC-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
RW2-2409S/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 18-36VIN 09VOUT
S222K39Y5PN6BJ5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 1KV 10% RADIAL
RT9198-28GY
PMIC - 穩壓器 - 線性 Richtek USA Inc SC-82 IC REG LDO 2.8V .3A SC82
RW2-2412D
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 18-36VIN +/-12VOUT
RT9198-33GBG
PMIC - 穩壓器 - 線性 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .3A SOT23-5
S222K43X7RN63J5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 1KV 10% RADIAL
RNMF12FTD12K4
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/2W 12.4K OHM 1% AXIAL
SI5511DC-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
RW2-2412D/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 18-36VIN +/-12VOUT