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SI5504BDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5504BDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5504BDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5504BDC-T1-GE3供應商

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FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS WALL MNT W/PINS
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SXA-001T-P0.6L
矩形 - 觸點 JST Sales America Inc 12-WFDFN 裸露焊盤 CONN CONTACT XA 26-22AWG TIN
SR072A330GARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 33PF 200V 2% RADIAL
SR205E104MART
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
MS3100E14S-7P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS WALL MNT W/PINS
SXB137MX
RF 天線 Laird Technologies IAS 12-WFDFN 裸露焊盤 ANT DUCK 1/4 137-150MHZ MX
SHIPLBL-083
標簽，標記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 500/PK
SI5515CDC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8