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SI6473DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.08W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6473DQ-T1-GE3供應商

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SI6463BDQ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI3232DCX-EVB
評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC
SD-40LP
連接器，互連器件 CUI Inc DO-200AA，A-PUK CONN DIN PLUG LOCKING IN-LINE 4P
SI4410BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SCC15D
壓力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SENSOR PRESS DIFF 15PSI
RNF18FTC1K82
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.82K OHM 1% AXIAL
RNCF1206DTE38K3
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 38.3K OHM 1/8W 0.5% 1206
MDM-51PH003B
D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE
SD453N16S30PC
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 450A B-8
SCC15DN
壓力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SCC DIFF GAGE 0 PSID TO 15 PSID
SI4410DY
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
RNF18FTC1M00
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1M OHM 1% AXIAL
SD453R16S20PC
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 400A B-8
RNCF1206DTE40K2
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 40.2K OHM 1/8W 0.5% 1206
MDM-51PH003L
D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE