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SI6969BDQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6969BDQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6969BDQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6969BDQ-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6969DQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6969DQ-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 4.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

VI-B0R-EY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
SJ-3540 (BLACK) 1"
扎帶 3M DUAL LOCK PRESS 1"X25YD BLK 250
SI6969DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
VI-B4X-IW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VI-B5F-CY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
VJ1210A390JBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 39PF 500V 5% NP0 1210
VI-B0R-MY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
VI-B4P-EX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W
VI-B3L-EU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VI-B5F-EU-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 200W
VI-B4X-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W
VJ1210A390KBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 39PF 1KV 10% NP0 1210
VI-B0T-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
VI-B4P-EY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
VI-B3L-EU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W

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