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SI7222DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

SI7222DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7222DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7222DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：17.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7222DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：17.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

SI7222DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：17.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

VI-B0V-MX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B5N-MV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 150W
SI7212DN-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
VJ1210A560JBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 56PF 200V 5% NP0 1210
VI-B3M-CX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B44-CV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B4Y-IV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B0V-MX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B4R-CY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
VJ1210A560JBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 56PF 500V 5% NP0 1210
VI-B3M-CX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B44-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B4Y-IV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B4R-CY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
VI-B0W-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W