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SI7288DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：565pF @ 20V; 功率_最大：15.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7288DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：565pF @ 20V; 功率_最大：15.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

SI7288DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：565pF @ 20V; 功率_最大：15.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

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MS3106F32-17SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 4POS INLINE W/SKTS
SR201A681KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
SR152A3R0DAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3PF 200V RADIAL
SML-010PTT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 1208（3020 公制） LED 3X2MM 555NM GRN WTR CLR SMD
SI1304BDL-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3
MS3106F32-22P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 54POS STRAIGHT W/PINS
SI7309DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK