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SI7366DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7366DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7366DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7366DP-T1-E3供應商

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衰減器 Skyworks Solutions Inc 12-WQFN 裸露焊盤 ATTENUATOR DGTL GAAS 4BIT QFN-12
VJ1210A680KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 68PF 500V 10% NP0 1210
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B3M-EY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
VI-B0W-MX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W
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衰減器 Skyworks Solutions Inc 12-WQFN 裸露焊盤 ATTENUATOR DGTL GAAS 4BIT QFN-12
SI7366DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC