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SI7414DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7414DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7414DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7414DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7414DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7414DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SMAJ120A
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 120V 400W UNI 5% SMD
SI4447DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
SK470M400ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 47UF 400V 20% RADIAL
SI7414DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
RYM15DRMD-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .156 WW
SSR-50-W57S-R21-GK201
LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc Hockey Puck BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
RT1206DRE073K74L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 3.74K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI5903DC-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SMAJ120A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 120V SMA
SI4447DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC
RYM15DRSS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
RT1206DRE073K83L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 3.83K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI5915BDC-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8
SMAJ120A-E3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 300W 120V 5% SMA
SSR-50-W65S-R21-GK102
LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc Hockey Puck BIG CHIP LED HB MODULE WHITE

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