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SI7454CDP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 50V; 功率_最大：29.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7454CDP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 50V; 功率_最大：29.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7454CDP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 50V; 功率_最大：29.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7454DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7454DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7454DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

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