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SI7703EDN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 6.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 800µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7703EDN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 6.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 800µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7703EDN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 6.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 800µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

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