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SI7848BDP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848BDP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848BDP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7848BDP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7848DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SM-42TB504
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微調(diào)器 Copal Electronics Inc 4124 J 形引線 TRIMMER 500K OHM 0.25W SMD
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STTH10BC065CT
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-220-3 DIODE RECT BC2 650V 10A TO-220AB
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矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions CONN HDR .100" SNGL PCB 3POS
SSL-LX20R6SRD
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED 20MM DOMED 6CHIP SUP REDDIFF
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SM-42TW101
微調(diào)器 Copal Electronics Inc 4124 J 形引線 TRIMMER 100 OHM 0.25W SMD
SI7850DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK 8SOIC

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