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SI7848DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7848DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7848DP-T1-E3供應商

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SI7844DP-T1-GE3
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SMAJ8.0CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 8.0V 400W BI 5% SMD
MMZ1608B301C
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 300 OHM 500MA 0603
ST72F324BK4T3
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 32-LQFP IC MCU 8BIT 16K FLASH 32-TQFP
SSL4101T/1,518
PMIC - LED 驅動器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LED DRIVER MED PWR 16SOIC
SLF12565T-330M2R8-H
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR 33UH 2.8A 20% SMD
SRR1260-470Y
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 47UH 2.6A SMD
SMAJ8.0CA-13
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS BI-DIR 8.0V 400W SMA