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SI7922DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

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SI7922DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7922DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7922DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7922DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
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線性 - 視頻處理 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盤 IC DTV TUNER WORLDWIDE 32-QFN
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板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 21POS TIN PCB
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 200W

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