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SI8499DB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-MICRO FOOT?; 供應商設備封裝：6-Micro Foot?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8499DB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-MICRO FOOT?; 供應商設備封裝：6-Micro Foot?; 包裝：帶卷 (TR)

SI8499DB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-MICRO FOOT?; 供應商設備封裝：6-Micro Foot?; 包裝：Digi-Reel®

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接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盤 IC SLIC/CODEC 1CH 38QFN
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接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP