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SI8800EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8800EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：Digi-Reel®

SI8800EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

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DC DC Converters GE 6-DIP SMD 模塊 CONVERTER DC/DC 3.3V 12W OUT SMD
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FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO-220

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SI8800EDB-T2-E1 全國供應商、價格、PDF資料

SI8800EDB-T2-E1詳細規格

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