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SIB452DK-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SIB452DK-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：190V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：135pF @ 50V; 功率_最大：13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單; 包裝：剪切帶 (CT)

SIB452DK-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：190V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：135pF @ 50V; 功率_最大：13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單; 包裝：帶卷 (TR)

SIB452DK-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：190V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：135pF @ 50V; 功率_最大：13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單; 包裝：Digi-Reel®

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SIB433EDK-T1-GE3
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SR211A682JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 6800PF 100V 5% RADIAL
SRF 55V10S Y2/0
RFID IC Infineon Technologies - IC EEPROM 10KBIT INTELLIG Y2.0-2
RT1206DRD07191KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 191K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RW2-1209D/B
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 9-18VIN +/-09VOUT
SH150S-0.25-256
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 非標準 INDUCTOR 256UH .25A 150KHZ SMD
SR211A751FAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 750PF 100V 1% RADIAL
SLP680M450A3P3
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 68UF 450V 20% SNAP

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