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SIB488DK-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SIB488DK-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6.3A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：725pF @ 6V
功率_最大：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝：帶卷 (TR)

SIB488DK-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6.3A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：725pF @ 6V
功率_最大：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝：剪切帶 (CT)

SIB488DK-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6.3A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：725pF @ 6V
功率_最大：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝：Digi-Reel®

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