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SIE882DF-T1-GE3 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SIE882DF-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 12.5V
功率_最大：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：10-PolarPAK?（L）
包裝：帶卷 (TR)

SIE882DF-T1-GE3供應(yīng)商

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