国产裸体舞一区二区三区,区二区欧美性插b在线视频网站,国产高潮久久免费观看

當前位置：網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SIHB12N60E-GE3"的供應信息

SIHB12N60E-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SIHB12N60E-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 600V 12A TO263; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：937pF @ 100V; 功率_最大：147W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：散裝

SIHB12N60E-GE3供應商

T86E686K020EASS
鉭 Vishay Sprague 2917（7343 公制） CAP TANT 68UF 20V 10% 2917
SIF912EDZ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 2x5 MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK
TAJE226K035RNJ
鉭 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP TANT 22UF 35V 10% 2917
SR215A103JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
TNPU0603309RBZEN00
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 309 OHM 1/10W 0.1% 0603
TB-12.200MBD-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 12.200 MHZ 3.3V SMD
STM32F100R8T7B
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 64-LQFP MCU 32BIT ARM 64K FLASH 64LQFP
T86E686K020EBBL
鉭 Vishay Sprague 2917（7343 公制） CAP TANT 68UF 20V 10% 2917
TAJE226M035RNJ
鉭 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP TANT 22UF 35V 20% 2917
TNPU060330K1AZEN00
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 30.1K OHM 0.05% 0603 SMD
TB-12.352MBD-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 12.352 MHZ 3.3V SMD
T86E686K020EBSS
鉭 Vishay Sprague 2917（7343 公制） CAP TANT 68UF 20V 10% 2917
STM32F100VDT6
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 100-LQFP MCU ARM 32BIT 128K FLASH 100LQFP
TAJE336K025SNJ
鉭 AVX Corporation CAP TANT 33UF 25V 10% 2917
SR215A150KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL