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SIR164DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3950pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIR164DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3950pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SIR164DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3950pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8650ED-B-IS
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通用嵌入式開發板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Olimex LTD 144-LQFP ST M3 STM32F107 HEADER BOARD
STA680Q
RF 接收器 STMicroelectronics 144-LQFP IC RX HD RADIO BASE-BAND 144LQFP
STEVAL-ISA015V2
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS STMicroelectronics BOARD EVAL 3PHASE W/ESBT 100W
SSRS4-2-01
電路板襯墊，支座 Richco Plastic Co Hockey Puck SPACER STACK SELF-RET #4 1/8"
SMCG8.5A-E3/57T
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-215AB，SMC 鷗翼型 TVS 1.5KW UNIDIR 8.5V 5% SMC
ST62GP-DBE
配件 STMicroelectronics 28-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口 DEDICATED BOARD FOR ST EMULATORS

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SIR164DP-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SIR164DP-T1-GE3詳細規格

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SIR164DP-T1-GE3供應商

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