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SIR466DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 15V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIR466DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 15V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIR466DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 15V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

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電路板襯墊，支座 Richco Plastic Co Hockey Puck SPACER STACK SELF-RET #8 7/8"
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評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS STMicroelectronics BOARD EVAL BASED ON ST1S03
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TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 13V UNIDIRECT SMC
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