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SIS407DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：93.8nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2760pF @ 10V; 功率_最大：33W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIS407DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：93.8nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2760pF @ 10V; 功率_最大：33W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIS407DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：93.8nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2760pF @ 10V; 功率_最大：33W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

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