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SIS438DN-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SIS438DN-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 10V
功率_最大：27.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
包裝：帶卷 (TR)

SIS438DN-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 10V
功率_最大：27.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
包裝：Digi-Reel®

SIS438DN-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 10V
功率_最大：27.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
包裝：剪切帶 (CT)

SIS438DN-T1-GE3供應商

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