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SIS476DN-T1-GE3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SIS476DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：77nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3595pF @ 15V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SIS476DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：77nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3595pF @ 15V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIS476DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：77nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3595pF @ 15V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

查看更多SIS476DN-T1-GE3的供應(yīng)商

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SIS456DN-T1-GE3
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VJ1206Y153KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.015UF 50V 10% X7R 1206
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熱縮管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
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矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 6-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 15POS 1MM WHITE
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