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STB20NM60-1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB20NM60D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB20NM60D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB20NM60D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB20NM60T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB20NM60T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

TH3A106M010F3400
鉭 Vishay Sprague 1206（3216 公制） CAP TANT 10UF 10V 20% 1206
TMK316F225ZG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 25V Y5V 1206
STEVAL-ILL009V3
配件 STMicroelectronics BOARD EVAL MOD OSTAR PROJECTION
T60030-1SR
保險絲座 Cooper Bussmann TO-209AB，TO-93-4，接線柱 FUSEBLOCK 1P 30A SCREW 600V
STB20NM60-1
FET - 單 STMicroelectronics TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TL2X4W-TWZ
測試引線 - 香蕉，量表接口 Fluke Electronics 44-QFP TWEEZERS TEST LEADS 4-WIRE
TIM226K015P0Y
鉭 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP TANT 22UF 15V 10% RADIAL
TH3A225K010C4600
鉭 Vishay Sprague 1206（3216 公制） CAP TANT 2.2UF 10V 10% 1206
TMK316F475ZG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1206
T60100-1C
保險絲座 Cooper Bussmann TO-209AB，TO-93-4，接線柱 FUSEBLOCK 1P 100A SCREW 600V
TL3016CDG4
線性 - 比較器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC PREC COMP ULTRA-FAST 8-SOIC
TIP100-BP
晶體管(BJT) - 單路 Micro Commercial Co TO-220-3 TRANSISTOR NPN 8A 60V TO-220
TMK316SD104JL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 25V 5% 1206
TH3A225M010F4600
鉭 Vishay Sprague 1206（3216 公制） CAP TANT 2.2UF 10V 20% 1206
STEVAL-ILL009V4
配件 STMicroelectronics BOARD EVAL OSRAM DRAGON LED MOD

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