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STB80NF55-06-1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB80NF55-06T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB80NF55-06T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB80NF55-06T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB80NF55-08-1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3850pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB80NF55-08T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3850pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

SJ1-3555NG
套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO R/A 5PIN 3.5MM
STM706PDS6E
PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC SUPERVISOR 5V 4.38V 8-TSSOP
SMCJ130CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AB，SMC DIODE TVS 130V 1500W BI 5% SMD
STB80NF10T4
FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
ST7ETB201
微調(diào)器 Copal Electronics Inc TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD
SM2615FT3R01
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 3.01 OHM 1W 1% WW 2615
STGB8NC60KDT4
IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT N-CH 8A 600V D2PAK
SST39VF010-70-4C-WHE
存儲器 Microchip Technology 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 寬） IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 32TSOP
SJ1-42515RS
套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN AUDIO JACK 4COND 2.5MM PCB
SMCJ130HE3/9AT
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW UNIDIR 13V 5% SMC
ST7ETB202
微調(diào)器 Copal Electronics Inc TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD
SM2615FT3R09
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 3.09 OHM 1W 1% WW 2615
STGBL6NC60DIT4
IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT HYPERFAST 600V 6A D2PAK
SST39VF010-70-4I-B3KE
存儲器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA
SJ1-42515RS-SMT
套管 - 音頻 CUI Inc CONN AUDIO JACK 4COND 2.5MM SMD

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