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STX112詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：2mA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

STX112-AP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：2mA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92AP; 包裝：剪切帶 (CT)

STX112-AP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：2mA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92AP; 包裝：帶盒（TB）

STX117-AP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP BIPO 100V 2A GP TO-92; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：2mA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92AP; 包裝：帶盒（TB）

STX13003詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN FAST SW HV TO-92; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：400V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 500mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：1mA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 500mA，2V; 功率_最大：1.5W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

STX13003-AP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 400V 1A TO-92AP; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：400V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 500mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：1mA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 500mA，2V; 功率_最大：1.5W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92AP; 包裝：帶盒（TB）

STS2DPF80
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
SMCJ12CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 12V BIDIRECT SMC
MT28F400B3WG-8 B TR
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH 4MBIT 80NS 48TSOP
STWD100PYW83F
PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC WDT CIRCUIT SOT323-5
MSP430F2274IDA
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 38-TSSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC MCU 16BIT 32K FLASH 38-TSSOP
SMBJ24
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB DIODE TVS 24V 600W UNI 10% SMT
TC1413NCOA
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DVR 3A HS 8SOIC
SMCJ12C-E3/57T
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1.5KW 12V 10% SMC
STS2DPFS20V
FET - 單 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
MSP430F2274IRHAR
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盤 IC MCU 16BIT 32K FLASH 40-QFN
SMBJ24A-13
TVS - 二極管 Diodes/Zetex DO-214AA，SMB TVS UNI-DIR 24V 600W SMB
TC1413NEUA
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Microchip Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC MOSFET DRIVER 3A HS 8MSOP
SMCJ12C-E3/9AT
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 12V 5% SMC
STS4C3F60L
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC
MT28F400B5WP-8 T
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH 4MBIT 80NS 48TSOP

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STX1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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STX1供應(yīng)商

STS2DPF80

SMCJ12CA-TP

MT28F400B3WG-8 B TR

STWD100PYW83F

MSP430F2274IDA

SMBJ24

TC1413NCOA

SMCJ12C-E3/57T

STS2DPFS20V

MSP430F2274IRHAR

SMBJ24A-13

TC1413NEUA

SMCJ12C-E3/9AT

STS4C3F60L

MT28F400B5WP-8 T