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ZXM66P03N8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1979pF @ 25V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ZXM66P03N8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1979pF @ 25V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXM66P03N8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1979pF @ 25V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

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晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 TRANS PNP HG -140V -500MA TO92-3
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芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) 2512 J 形引線 RES 50 OHM .25W .01% Z-FOIL SMD

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