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ZXMHC3F381N8TC 全國供應商、價格、PDF資料

ZXMHC3F381N8TC詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N?通道和 2 個 P 通道（H 橋）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.98A，3.36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 15V; 功率_最大：870mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：Digi-Reel®

ZXMHC3F381N8TC詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N?通道和 2 個 P 通道（H 橋）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.98A，3.36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 15V; 功率_最大：870mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMHC3F381N8TC詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N?通道和 2 個 P 通道（H 橋）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.98A，3.36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 15V; 功率_最大：870mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

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