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BSO080P03S詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO080P03S詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO080P03S詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO080P03S H詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF@ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO080P03S H詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF@ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO080P03S H詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF@ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

C0805X331J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0805
BQ2028YZGR
存儲(chǔ)器 Texas Instruments 12-UFBGA，DSBGA IC OTP 4KBIT 12DSBGA
B41791A5477Q
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO AXIAL LEADED 470UF 25V
BSO065N03MS G
FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A DSO-8
7-1879227-0
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 1206（3216 公制） RES 909K OHM 1/8W 0.1% 1206
C3DES-4006G-ND
矩形 CW Industries 1206（3216 公制） IDC CABLE - CKR40S/AE40G/CCE40S
B43540A5337M80
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 450V
C0805X332K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0805
BQ2031PN-A5
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC LEAD ACID FAST CHARGE 16-DIP
7-1879227-1
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 1206（3216 公制） RES 931K OHM 1/8W 0.1% 1206
C3DES-5006M-ND
矩形 CW Industries 1206（3216 公制） IDC CABLE - CKR50S/AE50M/CCE50S
C0805X470J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0805
B43540A5397M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 450V
B41792A7477Q
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO AXIAL LEADED 470UF 40V
BSO119N03S
FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8