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BSP135 E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP135 E6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP135 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP135 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP135 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP135 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BRL2515T1R5M
固定式 Taiyo Yuden 1006（2515 公制） INDUCTR 1.5UH 1.15A 20% 1006 SMD
DMP4025LSD-13
FET - 單 Diodes Inc * MOSFET P-CH 40V DUAL 8SO
BPA14402
配件 TE Connectivity BOOT SEAL RED 1/4-40 TP SERIES
BSP129E6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
ECA50DTKN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS DIP .125 SLD
D38999/20FJ61SN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 61POS WALL MNT W/SCKT
CMF5532R400DHBF
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 32.4 OHM 1/2W .5% AXIAL
D38999/20MJ24AA
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 24POS PIN
DMP4025LSS-13
FET - 單 Diodes Inc * MOSFET P CH 40V 6A SO-8
BPA14402
配件 TE Connectivity BOOT SEAL RED 1/4-40 TP SERIES
D38999/20FJ61SN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 61POS WALL MNT W/SCKT
ECA50DTKT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS DIP .125 SLD
D38999/20MJ24BN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 24POS SKT
CMF55330K00FEEA
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 330K OHM 1/2W 1% AXIAL
BRL2518T1R0M
固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 1.0UH 20% 1007 SMD

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