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BUK7606-55A,118詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK7606-55B,118詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：254W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

BUK7606-55B,118詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：254W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK7606-55B,118詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：254W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

BUK7606-75B,118詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7446pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK7606-75B,118詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7446pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

C112 20C024 010 10
連接器，互連器件 Amphenol-Tuchel Electronics 圓柱形，中性環(huán)節(jié)，5AG，10.3x38.1mm CABLE MALE-FEMALE 4POS PVC 1.0M
8-146472-1
面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器 TE Connectivity CONN HEADER 31POS .100" STACKER
BUK755R4-100E,127
FET - 單 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
C1206C272F5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 2700PF 50V 1% NP0 1206
C1608C0G1H300J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 30PF 50V 5% NP0 0603
C901U100JYSDAAWL40
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 10PF 250V 5% RADIAL
C0603C0G1E1R6B
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 1.6PF 25V NP0 0201
8241S-25
拭淨(jìng)簽和刷子 MG Chemicals 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） SWAB SELF SATURATING ALCOHOL
C112 20C035 010 10
連接器，互連器件 Amphenol-Tuchel Electronics CABLE MALE-FEMALE 5POS PVC 1.0M
C1206C272J1GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 2700PF 100V 5% NP0 1206
C901U100JYSDBAWL20
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 10PF 250V 5% RADIAL
C1608C0G1H301J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 300PF 50V 5% NP0 0603
8242040000
配件 Weidmuller 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） CONDITIONER SGNL ANALOG I/F 0.10
8-146477-1
面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器 TE Connectivity CONN HEADER 31POS .100" STACKER
C112 20C043 006 10
連接器，互連器件 Amphenol-Tuchel Electronics CABLE MALE-FEMALE 3POS PUR 0.6M

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