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DTA123EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 2.2/2.2K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTA123EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 2.2/2.2K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

DTA123EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL PNP 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTA123EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL PNP 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTA123EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL PNP 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

ERJ-8ENF24R0V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 24.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-S14F37R4U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 37.4 OHM 1% 1210
FSAL200QSC
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Fairchild Semiconductor 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 16QSOP
ERJ-6RQJR33V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES .33 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
DTA115EUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 100MA SOT-323
FDD86102LZ
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
ERJ-S14F3832U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 38.3KOHM 1% 1210
ERJ-8ENF24R3V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 24.3 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
FSAL200QSCX
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Fairchild Semiconductor 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 16QSOP
FDD86250
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
ERJ-8ENF24R9V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 24.9 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-S14F3900U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 390 OHM 1% 1210
FSAM10SH60A
功率驅(qū)動(dòng)器 Fairchild Semiconductor SPM32AA SMART POWER MODULE 10A SPM32-AA
ERJ-6RQJR39V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES .39 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
FDD86326
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK

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DTA123EM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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DTA123EM供應(yīng)商

ERJ-8ENF24R0V

ERJ-S14F37R4U

FSAL200QSC

ERJ-6RQJR33V

DTA115EUAT106

FDD86102LZ

ERJ-S14F3832U

ERJ-8ENF24R3V

FSAL200QSCX

FDD86250

ERJ-8ENF24R9V

ERJ-S14F3900U

FSAM10SH60A

ERJ-6RQJR39V

FDD86326