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DTC123EET1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/2.2K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123EET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/2.2K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123EETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC123EETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123EETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

LLA319R71C684MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.68UF 16V 20% X7R 1206
GRM319F51C474ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 16V Y5V 1206
DTC115TMT2L
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 SMALL SIGNAL SURFACE-MT SILICON
IMB1AT110
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
IDT72T51258L6-7BBI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 324-BGA IC FIFO 327768X20 6-7NS 324BGA
DSA
專用 Onset Computer Corp 36-WFQFN 裸露焊盤 DATA LOGGER OPTIC BASE STATION
DS1013M-15
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC DELAY LINE 15NS 8-DIP
IDTQS3VH257S1G
邏輯 - 信號開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX QUAD 2:1 16SOIC
GRM319F51E224ZA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 25V Y5V 1206
IMC0402ER11NG01
固定式 Vishay Dale 0402（1005 公制） INDUCTOR WW 11NH 0402
IDT72T54262L5BBG
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 324-BGA IC FIFO DDR/SDR QUAD/DUAL 324BGA
DS1013M-167
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC DELAY LINE 167NS 8-DIP
IDTQS3VH384PAG8
邏輯 - 信號開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC BUS SWITCH 10BIT 24-TSSOP
GRM319F51E474ZA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 25V Y5V 1206
LLE102000
浮子，液位 Honeywell Sensing and Control DO-213AC（玻璃） SENSOR LIQUID LEV TYPE2 -25-80C

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DSA

DS1013M-15

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GRM319F51E224ZA01D

IMC0402ER11NG01

IDT72T54262L5BBG

DS1013M-167

IDTQS3VH384PAG8

GRM319F51E474ZA01D

LLE102000