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FQB55N10TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 27.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

FQB55N10TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 27.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FQB55N10TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 27.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 36-DIP 模塊 CONN HEADER 14POS DL.05" PCB/SMD
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PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
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PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Linear Technology TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA IC REG BUCK INV FLYBACK 4A D2PAK
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