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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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FQD6N60CTM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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FQD6N60CTM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
系列：QFET™
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 2A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V
功率_最大：80W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

FQD6N60CTM_WS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 600V DPAK
系列：QFET™
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 2A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V
功率_最大：80W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

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