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FSS264-TL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 20V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：剪切帶 (CT)

FSS264-TL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 20V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

FSS264-TL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 20V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
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