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IRF3706詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3706L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3706LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3706PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3706S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3706SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：77A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3704STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IXTT88N15
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
ISL6422BEVEZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 38-TFSOP （0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC VREG DUAL LNB W/I2C 38EPTSSOP
LMV339IPWRE4
線性 - 比較器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC QUAD LV COMPARATOR 14-TSSOP
ECS-184-18-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 18PF SMD
LP2985IM5-4.8/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4.8V .15A SOT23-5
ISL6423BERZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盤 IC VREG SGL LNB W/I2C 24-QFN
IXTT88N30P
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
ECS-135.600-CDX-0374
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 13.560 MHZ 12PF SMD
ISC1812RV1R0J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 5% 1812
ECS-184-20-1
晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF 49UA
LP2985IM5X-2.0/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 2V .15A SOT23-5
IXTT90P10P
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
ISL6425ER
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC REG DUAL LNBP TTL-INP 32-QFN
LMV339MX
線性 - 比較器 Texas Instruments * IC COMPARATOR TINY QUAD 14-SOIC

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